A pochi mesi dalla presentazione di chip memoria a 54nm da 1GB, Hynix ha confermato di aver completato lo sviluppo di nuovi chip memoria da 2GB DDR2 Low-Power caratterizzati da processo produttivo a 40nm. Per quanto riguarda le caratteristiche principali, segnaliamo velocità di 1066 Mbps, voltaggio di 1.2v e bandwidth teorica di 4.26 GB/s. I nuovi chip Hynix saranno utilizzati in modo particolare su smartphone, tablet PC e smartbook. I primi sample dovrebbero essere disponibili a partire dai prossimi mesi, per poi entrare in produzione a partire dalla metà del 2010.
