Samsung ha dichiarato nella giornata di ieri, di aver consegnato i primi moduli DDR3 con capacità di 16GB. Ogni modulo integra chip da 2GB prodotti con processo produttivo a 50nm in configurazione dual-die, in modo tale da ottenere la capacità di 16GB. Per quanto riguarda le caratteristiche tecniche, Samsung dichiara frequenza di 1066MHz con voltaggio di 1.35v.
Questi moduli troveranno spazio soprattutto su sistemi di ultima generazione Nehalem Dual socket Xeon con possibilità di raggiungere fino a 192GB di memoria.
Per il momento non sono state rilasciate informazioni riguardo il prezzo di lancio.