Nella storia delle memorie non volatili il 2007 verrà ricordato come l'anno in cui la tecnologia phase-change RAM (PRAM), promettente alternativa alle NOR flash e non soltanto, ha preso la via del mercato. Entro la fine della primavera, e dopo anni di ricerca, Intel è infatti pronta a consegnare i primi campioni di PRAM ai produttori di device.
La tecnologia PRAM, approfondita in [Solo gli utenti registrati possono vedere questo collegamento. ] di Wikipedia, combina la velocità tipica delle memorie DRAM con la capacità delle memorie flash di conservare i dati anche in assenza di corrente.

Intel afferma che i suoi imminenti chip PRAM da 128 Mbit possono fornire velocità di scrittura e lettura fino a 1.000 volte maggiori a quelli delle Flash, una caratteristica che nei dispositivi mobili (PDA, smartphone ecc.) potrebbe ridurre significativamente il crescente divario di performance tra processori e memoria.