Da Samsung memorie DDR3 a 40nm
Samsung ha annunciato la disponibilità a partire dalla giornata di oggi di nuove memorie DDR3 caratterizzate da chip DRAM con processo produttivo a 40nm. I chip presentano un data rate di 1.6Gbps e voltaggio di 1.35v e verranno utilizzati da Samsung per assemblare moduli SODIMM e DIMM con capacità compresa tra 4GB e 16GB (anche per Server). I moduli, così come confermato da Jim Elliott, Vice Presidente della divisione Memory Marketing di Samsung, sono l'ideale per qualunque tipo di piattaforma grazie all'ottima compatibilità e al consumo energetico estremamente ridotto.
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