Le PRAM promettono di migliorare le memorie flash anche in fatto di affidabilità e durata nel tempo: il chipmaker di Santa Clara ha detto che i propri chip sono in grado di sopportare oltre 100 milioni di cicli di lettura/scrittura, un numero almeno 100 volte superiore a quello delle flash, e di garantire la conservazione dei dati per oltre 10 anni.
Intel ha sviluppato la propria implementazione della tecnologia PRAM insieme alla nostrana STMicroelectronics, da tempo impegnata nella ricerca di alternative più efficienti alle flash.
Sulle memorie PRAM stanno lavorando anche diversi altri colossi del settore, fra cui IBM, che lo scorso dicembre ha presentato un chip sperimentale basato su una nuova lega germanio-antimonio, e Samsung, che a settembre aveva invece svelato un prototipo da 512 Mbit.
Intel prevede di avviare la produzione in volumi dei suoi chip PRAM entro la fine dell'anno.
Articolo tratto da: Punto Informatico