Samsung ha annunciato nella giornata di oggi di aver completato lo sviluppo di alcuni moduli memoria equipaggiati con chip DDR3 con processo produttivo a 30nm e capacità di 2GB. Secondo quanto rilasciato dal colosso Koreano, il nuovo processo produttivo permetterà di aumentare la produttività di oltre il 60% se confrontato al vecchio processo a 40nm e del 120% rispetto al processo produttivo a 50/60nm. I nuovi moduli caratterizzati da chip DDR3 a 30nm garantiscono inoltre un significativo risparmio energetico del 30% rispetto alle vecchie versioni a 50nm.
Le prime soluzioni basate su questa tecnologia dovrebbero essere disponibili a partire dalla seconda metà del 2010.
